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NE76118-T1_NEC/瑞薩_MOSFET DISC BY CEL 1/02 SOT-343 GP MESFET中天科工一部

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  • 廠家型號(hào)：

    NE76118-T1

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NEC/瑞薩

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    43000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-343

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    20+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-6 16:19:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：NE76118-T1品牌：NEC

原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票

  • 芯片型號(hào)：

    NE76118-T1

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    NEC【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Renesas Electronics America

  • 中文名稱(chēng)：

    日本瑞薩電子株式會(huì)社

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    4 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    32.58 kb

  • 資料說(shuō)明：

    GaAs MESFET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    NE76118-T1

  • 功能描述：

    MOSFET DISC BY CEL 1/02 SOT-343 GP MESFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13128990370/微信同號(hào)

  • 傳真：

    原裝正品

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B

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