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NE851M13分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE851M13
廠商型號

NE851M13
參數(shù)屬性

NE851M13 封裝/外殼為SOT-3；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS NPN LOW PRO M13 SMD
功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR
TRANS NPN LOW PRO M13 SMD
文件大小

277.1 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二
更新時間

2024-12-28 17:30:00

NE851M13規(guī)格書詳情

NE851M13屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE851M13晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NE851M13-T3-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    5.5V

  • 頻率 - 躍遷：

    4.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 增益：

    4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ

  • 功率 - 最大值：

    140mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 5mA，1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-3

  • 供應商器件封裝：

    M13

  • 描述：

    TRANS NPN LOW PRO M13 SMD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ZXV
20+
SOT-523
90000
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務
 詢價
CEL
24+
原廠原封
4000
原裝正品
 詢價
ADI/亞德諾
22+
66900
原封裝
 詢價
NEC
23+
SOT-523
999999
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨
 詢價
ADI/亞德諾
原封裝
66900
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價
NEC
SOT343
68900
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價
NEC
22+
SOT343
3000
原裝正品,支持實單
 詢價
NEC
20+
SOT343
49000
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
NEC
24+
SOT-523
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
原廠正品
23+
SOT723
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價

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