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NE85630-T1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE85630-T1
廠商型號

NE85630-T1

參數(shù)屬性

NE85630-T1 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

功能描述

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

文件大小

831.88 Kbytes

頁面數(shù)量

26

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2024-12-27 20:00:00

NE85630-T1規(guī)格書詳情

NE85630-T1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE85630-T1晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NE85630-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    4.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

  • 增益:

    6dB ~ 12dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 7mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應商器件封裝:

    SOT-323

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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