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NE85634-T1

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE85634-T1

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CELDUCcelduc Relais

凡紀繼電器凡紀繼電器(上海)有限公司

NE85634-T1

Package:TO-243AA;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

CEL

California Eastern Labs

NE85634-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE85634-T1-A

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CELDUCcelduc Relais

凡紀繼電器凡紀繼電器(上海)有限公司

NE85634-T1-A

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

CEL

California Eastern Labs

NE85634-T1-A

Package:TO-243AA;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

CEL

California Eastern Labs

NE85634-T1-RF-A

Package:TO-243AA;包裝:帶 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

CEL

California Eastern Labs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE85634-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    6.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.4dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值:

    2W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝:

    SOT-89

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NE85634-T1供應商 更新時間2025-1-17 15:29:00