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NE85639

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

NE85639

NONLINEAR MODEL

CEL

California Eastern Labs

NE85639R

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

NE85639R-T1

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE85639R-T1

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CELDUCcelduc Relais

凡紀(jì)繼電器凡紀(jì)繼電器(上海)有限公司

NE85639-T1

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE85639-T1

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CELDUCcelduc Relais

凡紀(jì)繼電器凡紀(jì)繼電器(上海)有限公司

NE85639-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE85639-T1-A

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CELDUCcelduc Relais

凡紀(jì)繼電器凡紀(jì)繼電器(上海)有限公司

NE85639R-T1

Package:SOT-143R;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    NE85639

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEC
23+
SOT143
7780
全新原裝優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
NEC
24+
SOT-143
4897
絕對(duì)原裝!現(xiàn)貨熱賣!
詢價(jià)
CEL
24+
原廠原封
4000
原裝正品
詢價(jià)
NEC
24+
SOT-143
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
詢價(jià)
NEC
1742+
SOT-143
98215
只要網(wǎng)上有絕對(duì)有貨!只做原裝正品!
詢價(jià)
RENESAS
23+
SOT-143
63000
原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
NEC
6000
面議
19
DIP/SMD
詢價(jià)
NEC
20+
SOT-143
49000
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
詢價(jià)
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)
NEC
22+
SOT-143
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!
詢價(jià)
更多NE85639供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 9:18:00