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NESG2021M05中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NESG2021M05
廠商型號

NESG2021M05

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification

文件大小

159.35 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-4 14:32:00

NESG2021M05規(guī)格書詳情

FEATURES

? This device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications.

? NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

? NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

? Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NESG2021M05

  • 功能描述:

    射頻硅鍺晶體管 RO 551-NESG2021M05-A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
SOT23
68500
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
詢價
nec
1923+
sot-343
35689
絕對進(jìn)口原裝現(xiàn)貨庫存特價銷售
詢價
CEL
23+
SOT343
999999
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨
詢價
CEL
24+
原廠原封
4000
原裝正品
詢價
NEC
23+
SOT343
8160
原廠原裝
詢價
NEC
22+
SOT343
10730
原裝正品
詢價
NEC
2020+
SOT-343
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價
NEC
20+
SOT343
49000
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
NEC
24+
SOT343
35200
一級代理/放心采購
詢價
NEC
22+
SOT343
3000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價