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NESG2021M16中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
NESG2021M16 |
功能描述 | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG) |
文件大小 |
120.23 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
企業(yè)簡稱 |
NEC【瑞薩】 |
中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-1-4 14:26:00 |
NESG2021M16規(guī)格書詳情
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
FEATURES
? The device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications
NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz
? Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V
? 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 PKG)
產(chǎn)品屬性
- 型號:
NESG2021M16
- 功能描述:
射頻硅鍺晶體管 RO 551-NESG2021M16-A
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓
- 封裝:
Reel
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CEL |
24+ |
原廠原封 |
4000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
NEC |
19+ |
SOT-343 |
87068 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠; |
詢價(jià) | ||
NEC |
20+ |
SOT343 |
49000 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+ |
SOT343 |
3000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
12+ |
6-PINM |
5427 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
2023+ |
6-PINM |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+ |
SOT-343 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
NEC |
SOT-343 |
22+ |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||||
RENESAS |
6-PINM |
9497 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) |