首頁>NESG2030M04-T2-A>詳情

NESG2030M04-T2 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 CEL

NESG2030M04-T2參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NESG2030M04-T2品牌：CEL

只做原裝進口現(xiàn)貨.假一罰十

NESG2030M04-T2是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商CEL生產(chǎn)封裝SOT-343/SOT-343F的NESG2030M04-T2晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    NESG2030M04-T2

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大小：

    466.69 kb

  • 資料說明：

    NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NESG2030M04-T2-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    2.3V

  • 頻率 - 躍遷：

    60GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz

  • 增益：

    16dB

  • 功率 - 最大值：

    80mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 5mA，2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    35mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-343F

  • 供應商器件封裝：

    M04

  • 描述：

    TRANS NPN 2GHZ SOT-343

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊小姐

  • 手機：

    13430590551

  • 詢價：
  • 電話：

    13430590551

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

相近型號