首頁>NESG2101M05-A>詳情

NESG2101M05-A 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 NEC/瑞薩

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    NESG2101M05-A

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NEC

  • 庫存數(shù)量：

    562

  • 產(chǎn)品封裝：

    M05

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-25 15:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：NESG2101M05-A品牌：NEC

  • 芯片型號(hào)：

    NESG2101M05-A

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    15 頁

  • 文件大?。?/span>

    172.81 kb

  • 資料說明：

    NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NESG2101M05-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    5V

  • 頻率 - 躍遷：

    17GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

  • 增益：

    11dB ~ 19dB

  • 功率 - 最大值：

    500mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    130 @ 15mA，2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    M05

  • 描述：

    RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    云小姐/廖小姐

  • 手機(jī)：

    19168775913

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-88608801

  • 傳真：

    0755-88608801

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號(hào)華強(qiáng)花園C座7A

相近型號(hào)