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NESG2101M05-A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NESG2101M05-A
廠商型號(hào)

NESG2101M05-A

參數(shù)屬性

NESG2101M05-A 封裝/外殼為SOT-343F;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW

文件大小

172.81 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-7 10:55:00

NESG2101M05-A規(guī)格書詳情

NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification (125 mW)

Flat-Lead 4-Pin Thin-Type Super Minimold (M05)

FEATURES

? The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-gain amplification

? PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, ICq = 10 mA, f = 2 GHz

? NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz

? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

? Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NESG2101M05-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    5V

  • 頻率 - 躍遷:

    17GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

  • 增益:

    11dB ~ 19dB

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    130 @ 15mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M05

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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