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NESG250134-T1-AZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NESG250134-T1-AZ
廠商型號

NESG250134-T1-AZ

參數(shù)屬性

NESG250134-T1-AZ 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 900MHZ SOT-89

功能描述

NECs NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIVATION (800mW) 3-PIN OWER MINIMOLD (34 PACKAGE)
TRANS NPN 900MHZ SOT-89

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

706.62 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-13 17:45:00

NESG250134-T1-AZ規(guī)格書詳情

NESG250134-T1-AZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NESG250134-T1-AZ晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NESG250134-T1-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    9.2V

  • 頻率 - 躍遷:

    10GHz

  • 增益:

    23dB

  • 功率 - 最大值:

    1.5W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 100mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    500mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3-PowerMiniMold

  • 描述:

    TRANS NPN 900MHZ SOT-89

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
10+
SOT-89
1000
原裝現(xiàn)貨
詢價
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進口原裝 終端工廠免費送樣
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NEC
23+
TO89-4
8890
價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
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