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NESG3031M05-A

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M05,2012PKG) FEATURES ?Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.,Ga=16.0dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.4GHz NF=0.95dBTYP.,

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG3031M05

NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR

NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M05,2012PKG) FEATURES ?Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.,Ga=16.0dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.4GHz NF=0.95dBTYP.,

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG3031M05

NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NESG3031M05

NECsNPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

FEATURES ?LOWNOISEFIGUREANDHIGH-GAIN NF=0.95dBTYP,Ga=10dBTYP@VCE=2V,IC=6mA,f=5.2GHz NF=1.1dBTYP,Ga=9.5dBTYP@VCE=2V,IC=6mA,f=5.8GHz ?MAXIMUMSTABLEPOWERGAIN: MSG=14.0dBTYP@VCE=3V,IC=20mA,f=5.8GHz ?SiGeHBTTECHNOLOGY:

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    NESG3031M05-A

  • 功能描述：

    射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEC
24+
M05
2347
詢(xún)價(jià)
CEL
24+
原廠原裝
5000
原裝正品
 詢(xún)價(jià)
NEC
23+
原廠封裝
13528
振宏微原裝正品,假一罰百
 詢(xún)價(jià)
Renesas
21+
-
10
全新原裝鄙視假貨15118075546
 詢(xún)價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
5177
深圳現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
RENESAS/瑞薩
SOT-343
22+
56000
全新原裝進(jìn)口,假一罰十
 詢(xún)價(jià)
CEL
20+
射頻元件
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢(xún)價(jià)
NEC
17+
SOT-343
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
NEC
16+
SOT-343
10000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
 詢(xún)價(jià)
RENESAS
23+
SOT-343
20000
原裝正品,假一罰十
 詢(xún)價(jià)
更多NESG3031M05-A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-15 10:01:00

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