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NFAM2065L4B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
NFAM2065L4B |
參數(shù)屬性 | NFAM2065L4B 封裝/外殼為39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),29 引線;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊;產(chǎn)品描述:MOD IPM 3-PH INVERTER 29DIP |
功能描述 | Intelligent Power Module (IPM) 650 V, 20 A |
封裝外殼 | 39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),29 引線 |
文件大小 |
454.37 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-3 11:33:00 |
NFAM2065L4B規(guī)格書詳情
NFAM2065L4B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NFAM2065L4B功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件(通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上,后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度,并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
NFAM2065L4B
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊
- 包裝:
卷帶(TR)
- 類型:
IGBT
- 配置:
3 相
- 電壓 - 隔離:
2500Vrms
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),29 引線
- 描述:
MOD IPM 3-PH INVERTER 29DIP
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
2021+ |
SOIC |
57500 |
科研單位合格供應(yīng)商!現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
DIP-39 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
27500 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
ON(安森美) |
2112+ |
39-PowerDIP |
115000 |
90個(gè)/管一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長期 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
DIP39, 54.50x31.00x5.60, 1.78P |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
22+ |
NA |
30000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
DIP-39 |
18000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8000 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) |