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NGB15N41CLT4分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGB15N41CLT4
廠商型號

NGB15N41CLT4

參數屬性

NGB15N41CLT4 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 440V 15A 107W D2PAK

功能描述

Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
IGBT 440V 15A 107W D2PAK

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

94.95 Kbytes

頁面數量

12

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-3 22:59:00

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NGB15N41CLT4規(guī)格書詳情

NGB15N41CLT4屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產的NGB15N41CLT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    NGB15N41CLT4

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 4V,10A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    -/4μs

  • 測試條件:

    300V,6.5A,1 千歐

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 440V 15A 107W D2PAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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