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NGB8202NT4分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGB8202NT4
廠商型號

NGB8202NT4

參數(shù)屬性

NGB8202NT4 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 440V 20A 150W D2PAK

功能描述

Ignition IGBT
IGBT 440V 20A 150W D2PAK

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

144.89 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-3 22:59:00

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NGB8202NT4規(guī)格書詳情

NGB8202NT4屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NGB8202NT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NGB8202NT4

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 4.5V,20A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    -/5μs

  • 測試條件:

    300V,9A,1 千歐,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 440V 20A 150W D2PAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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