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NGB8206N 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NGB8206N參考圖片

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原廠料號：NGB8206N品牌：ON

D2PAK3LEAD

NGB8206N是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝面議/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的NGB8206N晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    NGB8206N

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    118.17 kb

  • 資料說明：

    Ignition IGBT 20 A, 350 V, N??hannel D2PAK

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NGB8206N

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 4.5V，20A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    -/5μs

  • 測試條件：

    300V，9A，1 千歐，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 390V 20A 150W D2PAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市近平電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱R/朱S

  • 手機：

    18902447508

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-29050225/81483445

  • 傳真：

    86-0755-81483445

  • 地址：

    深圳福田區(qū)振興西路華康大廈2棟

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