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NGD18N45CLBT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 THINKISEMI/思祁半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    NGD18N45CLBT4G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TH/韓國(guó)太虹

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9851

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO252

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2048+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-6 16:15:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NGD18N45CLBT4G品牌：TH/韓國(guó)太虹

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  • 芯片型號(hào)：

    NGD18N45CLBT4G

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大小：

    105.25 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Ignition IGBT 18 Amps, 450 Volts N?Channel DPAK

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGD18N45CLBT4G

  • 制造商：

    Littelfuse Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 4.5V，7A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    420ns/2.9μs

  • 測(cè)試條件：

    300V，1 千歐，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-252，（D-Pak）

  • 描述：

    IGBT 500V 18A DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐/黃先生

  • 手機(jī)：

    13424246946

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82569753

  • 傳真：

    0755-83205202

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路101號(hào)華勻1棟5樓B14

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