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NGP15N41CLG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NGP15N41CLG
廠商型號(hào)

NGP15N41CLG
參數(shù)屬性

NGP15N41CLG 封裝/外殼為T(mén)O-220-3；包裝為管件；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 440V 15A 107W TO220AB
功能描述

Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
IGBT 440V 15A 107W TO220AB
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

167.57 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-18 16:59:00

NGP15N41CLG規(guī)格書(shū)詳情

NGP15N41CLG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGP15N41CLG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGP15N41CLG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 4V，10A

  • 輸入類(lèi)型：

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/4μs

  • 測(cè)試條件：

    300V，6.5A，1 千歐

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 440V 15A 107W TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
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TO-2203LEADSTANDA
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詢(xún)價(jià)
ON Semiconductor
2022+
TO-220AB
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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ON
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