首頁(yè)>NGP15N41CLG>規(guī)格書(shū)詳情

    NGP15N41CLG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

    NGP15N41CLG
    廠(chǎng)商型號(hào)

    NGP15N41CLG

    參數(shù)屬性

    NGP15N41CLG 封裝/外殼為T(mén)O-220-3;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 440V 15A 107W TO220AB

    功能描述

    Ignition IGBT 15 A, 410 V N.Channel DPAK, D2PAK and TO.220
    IGBT 440V 15A 107W TO220AB

    封裝外殼

    TO-220-3

    文件大小

    147.81 Kbytes

    頁(yè)面數(shù)量

    11 頁(yè)

    生產(chǎn)廠(chǎng)商 ON Semiconductor
    企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

    ONSEMI安森美半導(dǎo)體

    中文名稱(chēng)

    安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

    原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
    數(shù)據(jù)手冊(cè)

    原廠(chǎng)下載下載地址一下載地址二到原廠(chǎng)下載

    更新時(shí)間

    2025-2-10 18:08:00

    NGP15N41CLG規(guī)格書(shū)詳情

    NGP15N41CLG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGP15N41CLG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

    產(chǎn)品屬性

    更多
    • 產(chǎn)品編號(hào):

      NGP15N41CLG

    • 制造商:

      onsemi

    • 類(lèi)別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

    • 包裝:

      管件

    • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

      2.2V @ 4V,10A

    • 輸入類(lèi)型:

      邏輯

    • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

      -/4μs

    • 測(cè)試條件:

      300V,6.5A,1 千歐

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 175°C(TJ)

    • 安裝類(lèi)型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-220-3

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-220

    • 描述:

      IGBT 440V 15A 107W TO220AB

    供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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