首頁>NGTB10N60R2DT4G>詳情

NGTB10N60R2DT4G 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

NGTB10N60R2DT4G參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NGTB10N60R2DT4G品牌：ON/安森美

只做原裝,質量保證

NGTB10N60R2DT4G是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產封裝TO-252-2(DPAK)/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的NGTB10N60R2DT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    NGTB10N60R2DT4G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內容頁數：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    531.76 kb

  • 資料說明：

    IGBT 600V, 10A, N-Channel

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    NGTB10N60R2DT4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，10A

  • 開關能量：

    412μJ（開），140μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    48ns/120ns

  • 測試條件：

    300V，10A，30 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 600V 20A DPAK

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機：

    18928498787

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-22318162/0755-22207335

  • 傳真：

    0755-22318162

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)101棟610A室

相近型號