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NGTB10N60R2DT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSemiconductor

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  • 廠家型號(hào)：

    NGTB10N60R2DT4G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSemiconductor

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    3648

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    18+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-8 14:15:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NGTB10N60R2DT4G品牌：ONSemiconductor

進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • 芯片型號(hào)：

    NGTB10N60R2DT4G

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大小：

    531.76 kb

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 600V, 10A, N-Channel

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB10N60R2DT4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，10A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    412μJ（開(kāi)），140μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    48ns/120ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，10A，30 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 600V 20A DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市達(dá)恩科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    17608451391

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23917962

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北新亞洲國(guó)利大廈1515

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