NGTB10N60R2DT4G 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
NGTB10N60R2DT4G
產(chǎn)品分類：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
生產(chǎn)廠商：
ON
庫存數(shù)量：
8560
產(chǎn)品封裝：
DPAK
生產(chǎn)批號：
23+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-23 11:56:00

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原廠料號：NGTB10N60R2DT4G品牌：ON

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NGTB10N60R2DT4G是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝DPAK/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的NGTB10N60R2DT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
NGTB10N60R2DT4G
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內(nèi)容頁數(shù)：
7 頁
文件大小：
531.76 kb
資料說明：
IGBT 600V, 10A, N-Channel

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
NGTB10N60R2DT4G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，10A
開關能量：
412μJ（開），140μJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
48ns/120ns
測試條件：
300V，10A，30 歐姆，15V
工作溫度：
175°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝：
DPAK
描述：
IGBT 600V 20A DPAK

供應商

企業(yè)：
深圳市華來深電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
朱先生
手機：
13751106682
詢價：
電話：
0755-83238902/13662247350
傳真：
0755-83972189
地址：
深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)205棟4樓4B35/門市部:深圳市福田區(qū)華強北路國利大廈新亞洲二期N2B227

NGTB10N60R2DT4G 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

NGTB10N60R2DT4G

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