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NGTB10N60R2DT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：NGTB10N60R2DT4G品牌：ON/安森美

原裝正品現(xiàn)貨,可開13個點稅

NGTB10N60R2DT4G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-252/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的NGTB10N60R2DT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    NGTB10N60R2DT4G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    531.76 kb

  • 資料說明：

    IGBT 600V, 10A, N-Channel

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NGTB10N60R2DT4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    412μJ（開），140μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    48ns/120ns

  • 測試條件：

    300V，10A，30 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 600V 20A DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳兆威電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    顏小姐 /李先生

  • 手機：

    13823576937

  • 詢價：
  • 電話：

    0755- 82532883

  • 傳真：

    0755-83203002

  • 地址：

    廣東深圳龍崗區(qū)坂田街道中興路11號城市山海中心C棟606-608

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