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NGTB15N60S1EG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號:NGTB15N60S1EG品牌:ON/安森美
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/p>
NGTB15N60S1EG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-220/TO-220-3的NGTB15N60S1EG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
NGTB15N60S1EG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.7V @ 15V,15A
- 開關(guān)能量:
550μJ(開),350μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
65ns/170ns
- 測試條件:
400V,15A,22 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市高捷芯城科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
肖先生
- 手機(jī):
19076157484
- 詢價:
- 電話:
0755-83061789
- 傳真:
0755-82550578
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號航都大廈10層
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