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首頁(yè)>NGTB20N120IHWG>芯片詳情
NGTB20N120IHWG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):NGTB20N120IHWG品牌:onsemi
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
NGTB20N120IHWG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi生產(chǎn)封裝TO-247-3的NGTB20N120IHWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NGTB20N120IHWG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.65V @ 15V,20A
- 開關(guān)能量:
480μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
-/170ns
- 測(cè)試條件:
600V,20A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 20A 1200V TO-247
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
許小姐
- 手機(jī):
13530520535
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83201583/83214703
- 傳真:
0755-22669259
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室
相近型號(hào)
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