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NGTB25N120LWG_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：NGTB25N120LWG品牌：onsemi

資料說明：IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

NGTB25N120LWG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-247-3的NGTB25N120LWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    ngtb25n120lwg

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB25N120LWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，25A

  • 開關(guān)能量：

    3.4mJ（開），800μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    89ns/235ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，25A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON
24+
TO247
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ONSemiconductor
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢價(jià)
ONSEMI
1844+
LQFP
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
 詢價(jià)
ONS
2018+
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ON/安森美
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ON/安森美
23+
TO-247-3
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TO247
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 詢價(jià)
ON/安森美
21+
TO247
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
ON Semiconductor
22+
TO247
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO-247
29403
原盒原標(biāo),正品現(xiàn)貨 誠信經(jīng)營 價(jià)格美麗 假一罰十
 詢價(jià)

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