NGTB30N135IHR1WG 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
NGTB30N135IHR1WG
產品分類：
芯片
生產廠商：
ON
庫存數(shù)量：
56000
產品封裝：
TO247
生產批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-5 10:54:00

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原廠料號：NGTB30N135IHR1WG品牌：ON

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NGTB30N135IHR1WG是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產封裝TO247/TO-247-3的NGTB30N135IHR1WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
NGTB30N135IHR1WG
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數(shù)：
9 頁
文件大小：
137.29 kb
資料說明：
Monolithic Free Wheeling Diode

產品屬性

類型
描述
產品編號：
NGTB30N135IHR1WG
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，30A
開關能量：
630μA（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
-/200ns
測試條件：
600V，30A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應商器件封裝：
TO-247-3
描述：
IGBT 1350V 30A TO247

供應商

企業(yè)：
深圳市賽能新源半導體有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
朱樺
手機：
13510673492
詢價：
電話：
13510673492
地址：
福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)振興路華康大院2棟518

NGTB30N135IHR1WG 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

NGTB30N135IHR1WG

產品屬性

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