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NGTB30N60FWG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 PTIF

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  • 廠家型號：

    NGTB30N60FWG

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    PTIF

  • 庫存數(shù)量：

    30

  • 產(chǎn)品封裝：

    SCP0000001

  • 生產(chǎn)批號：

    P

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-3-3 17:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NGTB30N60FWG品牌：PTIF

原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)

  • 芯片型號：

    NGTB30N60FWG

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大小：

    182.66 kb

  • 資料說明：

    Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NGTB30N60FWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    650μJ（開），650μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    81ns/190ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 167W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市星宇佳科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳先生

  • 手機：

    15361821905

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82522195

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華富路1004號南光大廈510

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