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NGTB40N65IHRTG分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTB40N65IHRTG
廠商型號

NGTB40N65IHRTG

參數屬性

NGTB40N65IHRTG 包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 650V 40A

功能描述

IGBT with Monolithic Reverse Conducting Diode
IGBT 650V 40A

文件大小

228.99 Kbytes

頁面數量

9

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
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更新時間

2025-3-2 23:00:00

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NGTB40N65IHRTG規(guī)格書詳情

NGTB40N65IHRTG屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產的NGTB40N65IHRTG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features robust and

cost effective Field Stop (FS2) trench construction with a monolithic

RC Diode. It provides a cost effective Solution for applications where

diode losses are minimal. The IGBT is optimized for low conduction

losses (low VCEsat) and is well suited for resonant or soft switching

applications.

Features

? Extremely Efficient Trench with Fieldstop Technology

? Low Conduction Design for Soft Switching Application

? Reduced Power Dissipation in Inducting Heating Application

? Reliable and Cost Effective Single Die Solution

? This is a Pb?Free Device

Typical Applications

? Inductive Heating

? Air Conditioning PFC

? Welding

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    NGTB40N65IHRTG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 描述:

    IGBT 650V 40A

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