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NGTB40N65IHRTG分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
NGTB40N65IHRTG |
參數屬性 | NGTB40N65IHRTG 包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 650V 40A |
功能描述 | IGBT with Monolithic Reverse Conducting Diode |
文件大小 |
228.99 Kbytes |
頁面數量 |
9 頁 |
生產廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網 |
原廠標識 | ![]() |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-3-2 23:00:00 |
人工找貨 | NGTB40N65IHRTG價格和庫存,歡迎聯系客服免費人工找貨 |
NGTB40N65IHRTG規(guī)格書詳情
NGTB40N65IHRTG屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產的NGTB40N65IHRTG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features robust and
cost effective Field Stop (FS2) trench construction with a monolithic
RC Diode. It provides a cost effective Solution for applications where
diode losses are minimal. The IGBT is optimized for low conduction
losses (low VCEsat) and is well suited for resonant or soft switching
applications.
Features
? Extremely Efficient Trench with Fieldstop Technology
? Low Conduction Design for Soft Switching Application
? Reduced Power Dissipation in Inducting Heating Application
? Reliable and Cost Effective Single Die Solution
? This is a Pb?Free Device
Typical Applications
? Inductive Heating
? Air Conditioning PFC
? Welding
產品屬性
更多- 產品編號:
NGTB40N65IHRTG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 描述:
IGBT 650V 40A
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
2090 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-3P |
98000 |
全新原廠原裝正品現貨,可提供技術支持、樣品免費! |
詢價 | ||
ON/安森美 |
18+ |
NA |
28683 |
原裝現貨支持BOM配單服務 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
標準封裝 |
8000 |
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ON |
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詢價 | ||||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
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詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TSSOP |
14100 |
原裝正品 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
23+ |
標準封裝 |
5000 |
原廠原裝現貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
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ON(安森美) |
24+ |
標準封裝 |
8000 |
原廠原裝現貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
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三年內 |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 |