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NGTB40N65IHRTG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTB40N65IHRTG
廠商型號(hào)

NGTB40N65IHRTG

參數(shù)屬性

NGTB40N65IHRTG 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 40A

功能描述

IGBT with Monolithic Reverse Conducting Diode
IGBT 650V 40A

文件大小

228.99 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-16 20:00:00

NGTB40N65IHRTG規(guī)格書詳情

NGTB40N65IHRTG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB40N65IHRTG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features robust and

cost effective Field Stop (FS2) trench construction with a monolithic

RC Diode. It provides a cost effective Solution for applications where

diode losses are minimal. The IGBT is optimized for low conduction

losses (low VCEsat) and is well suited for resonant or soft switching

applications.

Features

? Extremely Efficient Trench with Fieldstop Technology

? Low Conduction Design for Soft Switching Application

? Reduced Power Dissipation in Inducting Heating Application

? Reliable and Cost Effective Single Die Solution

? This is a Pb?Free Device

Typical Applications

? Inductive Heating

? Air Conditioning PFC

? Welding

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGTB40N65IHRTG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 描述:

    IGBT 650V 40A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
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