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NGTB75N65FL2WAG

IGBT-FieldStopII/4Lead

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB75N65FL2WG

IGBT

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStop(FS)Trenchconstruction,andprovides superiorperformanceindemandingswitchingapplications,offering bothlowonstatevoltageandminimalswitchingloss. Features ?ExtremelyEfficientTrenchw

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB75N65FL2WG

FieldStopandtrenchIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=75A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NGTB75N65FL2WG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB75N65FL2WG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NGTB75N65FL2WGIGBT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-4 14:59:00

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