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NGTD13T120F2WP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTD13T120F2WP
廠商型號

NGTD13T120F2WP

參數(shù)屬性

NGTD13T120F2WP 封裝/外殼為模具;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH FIELD STOP

功能描述

IGBT Die
IGBT TRENCH FIELD STOP

封裝外殼

模具

文件大小

92.79 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-17 11:10:00

NGTD13T120F2WP規(guī)格書詳情

NGTD13T120F2WP屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTD13T120F2WP晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NGTD13T120F2WP

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,15A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    觸片

  • 描述:

    IGBT TRENCH FIELD STOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
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27985
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