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NGTD28T65F2WP

IGBT Die

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTD28T65F2WP

Package:模具;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTD28T65F2

IGBTDie

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTD28T65F2SWK

IGBTDie

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGTD28T65F2WP

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,75A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ON
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更多NGTD28T65F2WP供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00