首頁>NGTG30N60FLWG>規(guī)格書詳情

NGTG30N60FLWG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTG30N60FLWG
廠商型號

NGTG30N60FLWG

參數(shù)屬性

NGTG30N60FLWG 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A 250W TO247

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
IGBT 600V 60A 250W TO247

文件大小

174.45 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-11-17 15:41:00

NGTG30N60FLWG規(guī)格書詳情

NGTG30N60FLWG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTG30N60FLWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NGTG30N60FLWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    700μJ(開),280μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    83ns/170ns

  • 測試條件:

    400V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 250W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
23+
TO-247
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
詢價
onsemi
24+
TO-247-3
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
詢價
ON/安森美
21+
NA
12820
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價
ON
2022+
NA
8600
原裝正品,歡迎來電咨詢!
詢價
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
詢價
ON Semiconductor
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
ON/安森美
22+
NA
21000
原廠原包裝。假一罰十??砷_13%增值稅發(fā)票。
詢價
ON(安森美)
2112+
TO-247
105000
30個/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期
詢價
ONSemiconductor
18+
NA
3364
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
詢價
ON/安森美
21+
TO-247
8080
公司只做原裝,誠信經(jīng)營
詢價