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NGW50T65H3DFP

650 V, 50 A high speed trench field-stop IGBT with full rated silicon diode

Generaldescription TheNGW50T65H3DFPisarobustInsulated-GateBipolarTransistor(IGBT)featuringthirdgenerationtechnology.Itcombinescarrierstoredtrench-gateandfield-stop(FS)structures.The NGW50T65H3DFPisratedto175°CwithoptimizedIGBTturn-offlosses.Thishard-switching65

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安世安世半導體(中國)有限公司

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更多NGW50T65H3DFP供應商 更新時間2025-1-9 10:23:00

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