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NID9N05ACL	文件：123.57 Kbytes Page：7 Pages	9.0 A, 52 V, N??hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package PowerMOSFET 9.0A,52V,N?Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaDPAKPackage Benefits ?HighEnergyCapabilityforInductiveLoads ?LowSwitchingNoiseGeneration Features ?DiodeClampBetweenGateandSource ?ESDProtection?HBM5000V ?ActiveOver?VoltageGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NID9N05ACL	文件：87.7 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NID9N05ACLT4G	文件：123.57 Kbytes Page：7 Pages	9.0 A, 52 V, N??hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package PowerMOSFET 9.0A,52V,N?Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaDPAKPackage Benefits ?HighEnergyCapabilityforInductiveLoads ?LowSwitchingNoiseGeneration Features ?DiodeClampBetweenGateandSource ?ESDProtection?HBM5000V ?ActiveOver?VoltageGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NID9N05ACL_16	文件：87.7 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NID9N05ACLT4G	文件：87.7 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NID9N05ACLT4G	文件：1.00408 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NID9N05ACLT4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：集成電路（IC）配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NID9N05BCL	文件：87.7 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NID9N05CL	文件：76.8 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NID9N05CL	文件：123.57 Kbytes Page：7 Pages	9.0A,52V,N??hannel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaDPAKPackage PowerMOSFET 9.0A,52V,N?Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaDPAKPackage Benefits ?HighEnergyCapabilityforInductiveLoads ?LowSwitchingNoiseGeneration Features ?DiodeClampBetweenGateandSource ?ESDProtection?HBM5000V ?ActiveOver?VoltageGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NID9N05CL	文件：69.7 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET 9.0A,52V,N?Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaDPAKPackage Benefits ?HighEnergyCapabilityforInductiveLoads ?LowSwitchingNoiseGeneration Features ?DiodeClampBetweenGateandSource ?ESDProtection?HBM5000V ?ActiveOver?VoltageGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NID9N05CLG	文件：1.00404 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NID9N05CLG	文件：123.57 Kbytes Page：7 Pages	9.0A,52V,N??hannel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaDPAKPackage PowerMOSFET 9.0A,52V,N?Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaDPAKPackage Benefits ?HighEnergyCapabilityforInductiveLoads ?LowSwitchingNoiseGeneration Features ?DiodeClampBetweenGateandSource ?ESDProtection?HBM5000V ?ActiveOver?VoltageGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NID9N05CLG	文件：76.8 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NIF9N05ACL	文件：195.58 Kbytes Page：8 Pages	ProtectedPowerMOSFET2.6A,52V,N?Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaSOT?223Package Benefits ?HighEnergyCapabilityforInductiveLoads ?LowSwitchingNoiseGeneration Features ?DiodeClampBetweenGateandSource ?ESDProtection?HBM5000V ?ActiveOver?VoltageGatetoDrainClamp ?ScalabletoLowerorHigherRDS(on) ?InternalSeriesGateResistance ?Pb?FreeP	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NIF9N05CL	文件：195.58 Kbytes Page：8 Pages	ProtectedPowerMOSFET2.6A,52V,N?Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaSOT?223Package Benefits ?HighEnergyCapabilityforInductiveLoads ?LowSwitchingNoiseGeneration Features ?DiodeClampBetweenGateandSource ?ESDProtection?HBM5000V ?ActiveOver?VoltageGatetoDrainClamp ?ScalabletoLowerorHigherRDS(on) ?InternalSeriesGateResistance ?Pb?FreeP	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NIF9N05CL	文件：72.39 Kbytes Page：6 Pages	ProtectedPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NIF9N05CL	文件：66.65 Kbytes Page：6 Pages	PROTECTEDPOWERMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

詳細(xì)參數(shù)

型號：
NID9N05ACL
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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