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NJ1N60D-TR	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ1N60F-LI	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ1N60-TB	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
PHD1N60E	文件：1.08597 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
PHP1N60	文件：57.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableoff-statecharacteristics,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePower	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP1N60E	文件：21.11 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHT1N60R	文件：30.34 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformance.IntendedforuseinCompactFluorescentLights	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHX1N60E	文件：24.98 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistorIsolatedversionofPHP1N60E GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullpack,plasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePow	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PJN1N60D	文件：203.14 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PJU1N60	文件：239.1 Kbytes Page：5 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
SIHFR1N60A	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptiblePowerSup	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR1N60A	文件：333.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SiHFR1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptiblePowerSup	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
SIHFR1N60A	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPL	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR1N60A	文件：1.08652 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SIHFR1N60AT	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR1N60AT	文件：1.08659 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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SIHFU1N60A	文件：341.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	NJ-2.54-2*10PW	HCTL(華燦天祿)	21+	插件,P=2.54mm	4750	中國航天工業(yè)部戰(zhàn)略合作伙伴行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者	詢價(jià)
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上海市鑫鴻達(dá)電子	NJ20+U4+W	Pepperl + Fuchs	2022+		47	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
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更多NJ1N60D-TR供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 17:03:00

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