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NJ2N60A-LI	文件：833.61 Kbytes Page：6 Pages	2.0A 600V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES RDS(ON)@VGS=10V UltraLowgatecharge(typical9.0nC) Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical5.0pF) Fastswitchingcapability Avalancheenergyspecified Improveddv/dtcapability,highruggedness	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ2N60A-LI	文件：908.3 Kbytes Page：6 Pages	2.0A 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ2N60-BL	文件：833.61 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES RDS(ON)@VGS=10V UltraLowgatecharge(typical9.0nC) Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical5.0pF) Fastswitchingcapability Avalancheenergyspecified Improveddv/dtcapability,highruggedness	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
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NJ2N60D-LI	文件：833.61 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES RDS(ON)@VGS=10V UltraLowgatecharge(typical9.0nC) Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical5.0pF) Fastswitchingcapability Avalancheenergyspecified Improveddv/dtcapability,highruggedness	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
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NJ2N60F-LI	文件：833.61 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES RDS(ON)@VGS=10V UltraLowgatecharge(typical9.0nC) Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical5.0pF) Fastswitchingcapability Avalancheenergyspecified Improveddv/dtcapability,highruggedness	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
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PHB2N60E	文件：94.74 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP2N60Eissupplied	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHD2N60E	文件：94.74 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP2N60Eissupplied	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHD2N60E	文件：1.08597 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
PHP2N60	文件：51.39 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableoff-statecharacteristics,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePower	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP2N60E	文件：94.74 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP2N60Eissupplied	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHX2N60E	文件：65.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHX2N60Eissupplied	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PJF2N60	文件：212.98 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PJP2N60	文件：212.98 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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深圳市恒佳微電子有限公司	NJ301-1100	OMRON	21+		5400	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
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深圳市明嘉萊科技有限公司	NJ301-1100	OMRON	22+	SMD	518000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	NJ301-1100	OMRON			899933	集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢價(jià)
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更多NJ2N60A-LI供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-6 9:50:00

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