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NJD35N04T4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號:NJD35N04T4G品牌:ON/安森美
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NJD35N04T4G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-252/TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63的NJD35N04T4G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
NJD35N04T4G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
1.5V @ 20mA,2A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
50μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
2000 @ 2A,2V
- 頻率 - 躍遷:
90MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
DPAK
- 描述:
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市得捷芯城科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
蔡小姐
- 手機(jī):
19129919757
- 詢價:
- 電話:
0755-82538371 83062789
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號世貿(mào)廣場A座5層
相近型號
- NJG1107KB2-TE1
- NJG1108HA8(TE1)
- NJD2873T4G
- NJG1108HA8TE1
- NJD2873T4
- NJD2873
- NJG1117HA8(TE1)
- NJG1117HA8-TE1
- NJD1718
- NJG1122PB4(TE1)
- NJ88C33MA
- NJG1122PB4-TE1
- NJ88C22MA
- NJG1126HB6
- NJ8821BA
- NJG1127HB6
- NJ8820MA
- NJ8820
- NJG1127HB6(TE1)
- NJG1127HB6TE1
- NJ501-1500
- NJG1127HB6-TE1
- NJ501-1400
- NJG1129MD7-TE1
- NJ501-1300
- NJG1130KA1
- NJ301-1200
- NJ301-1100
- NJG1130KA1(TE1)
- NJ1030U8
- NJG1130KA1-TE1
- NJG1130KAL
- NJ101-1000
- NIV6150NT2TNG
- NJG1131HA8
- NIV6150MT2TXG
- NJG1134HA8-TE1
- NIV2161MTTAG
- NJG1135MD7
- NJG1142KA1
- NIV1161MTTAGESD
- NIV1161MTTAG
- NJG1142KA1(TE1)
- NIU7391AV
- NJG1142KA1-JRC
- NIS6452MT1TWG
- NJG1143UA2-TE1
- NJG1144KA1
- NIS6420MT1TWG
- NIS6111QPT1