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NJVMJB45H11分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

NJVMJB45H11
廠商型號

NJVMJB45H11
參數(shù)屬性

NJVMJB45H11 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS PNP 80V 10A D2PAK
功能描述

Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount
TRANS PNP 80V 10A D2PAK
封裝外殼

TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文件大小

184.81 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-30 23:00:00
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NJVMJB45H11規(guī)格書詳情

NJVMJB45H11屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產的NJVMJB45H11晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

Complementary power transistors are for general purpose power

amplification and switching such as output or driver stages in

applications such as switching regulators, converters and power

amplifiers.

Features

? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?

VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A

? Fast Switching Speeds

? Complementary Pairs Simplifies Designs

? Epoxy Meets UL 94 V?0 @ 0.125 in

? ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V

Machine Model, C > 400 V

? NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? Pb?Free Packages are Available

產品屬性

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  • 產品編號：

    NJVMJB45H11T4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1V @ 400mA，8A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 4A，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    40MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    TRANS PNP 80V 10A D2PAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
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D2PAK
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