NL17SG08MU1TCG_集成電路(IC) 門反相器-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):NL17SG08MU1TCG品牌:onsemi

資料說(shuō)明:MOSFET N/P-CH

NL17SG08MU1TCG是集成電路(IC) > 門和反相器。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝6-UFDFN的NL17SG08MU1TCG門和反相器邏輯柵極和逆變器系列中的產(chǎn)品對(duì)單個(gè)邏輯信號(hào)執(zhí)行基本邏輯運(yùn)算(例如 AND、NOT、OR 等)。與觸發(fā)器不同,它們不能夠存儲(chǔ)信息,不會(huì)對(duì)提供給其輸入的信號(hào)立即做出響應(yīng)。雖然早就被集成電路實(shí)施形式所取代,以用于實(shí)現(xiàn)復(fù)雜功能,但分立柵極仍可在僅需要非常簡(jiǎn)單邏輯功能的情況下使用。

  • 芯片型號(hào):

    nl17sg08mu1tcg

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明:

    MOSFET N/P-CH

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NL17SG08MU1TCG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 門和反相器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 邏輯類型:

    與門

  • 輸入數(shù):

    2

  • 電壓 - 供電:

    0.9V ~ 3.6V

  • 電流 - 輸出高、低:

    8mA,8mA

  • 邏輯電平 - 低:

    0.7V ~ 0.8V

  • 邏輯電平 - 高:

    1.7V ~ 2V

  • 不同 V、最大 CL 時(shí)最大傳播延遲:

    4.9ns @ 3.3V,30pF

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-UDFN(1.45x1)

  • 封裝/外殼:

    6-UFDFN

  • 描述:

    MOSFET N/P-CH

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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6-UDFN(1.45x1)
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