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NOA2301	文件：171.88 Kbytes Page：19 Pages	Digital Proximity Sensor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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NOA2301W	文件：198.64 Kbytes Page：19 Pages	Digital Proximity Sensor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTE2301	文件：22.14 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNTransistorHighVoltageHorizontalOutput Description: TheNTE2301isasiliconNPNpowertransistorinaTO218typepackagedesignedforuseinlargescreendeflectioncircuits. Features: ?Collector–EmitterVoltage:VCEX=1500V ?GlassivatedBase–CollectorJunction ?SafeOperatingArea@50μs=20A,400V ?Switchin	NTE NTE Electronics	NTE
NUP2301	文件：216.85 Kbytes Page：2 Pages	Lowcap.diodearrayfor2LineHighSpeedUSBprotectiondevic	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NX2301P	文件：370.25 Kbytes Page：16 Pages	20V,2AP-channelTrenchMOSFET	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
NX2301P	文件：318.47 Kbytes Page：3 Pages	20V,2AP-channelTrenchMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
NX2301P	文件：916.49 Kbytes Page：16 Pages	20V,2AP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusing TrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits 1.8VRDSonratedforLowVoltageGateDrive Veryfastswitching TrenchMOSF	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
NX2301P	文件：476.29 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitch ?PASwitch ?DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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更多NOA2301供應(yīng)商更新時間2024-11-1 19:06:00

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