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PHB100N03LT

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PHB100N03LT

N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Features ■TrenchMOS?technology ■Lowon-stateresistance ■Avalancheruggednessrated ■Logiclevelcompatible ■Surfacemountpackage. Applications ■DCtoDCconverters ■

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

RES100N03

Switching(30V,10A)

Features 1)LowQg. 2)Lowon-resistance. 3)Exellentresistancetodamagefromstaticelectric Structure SiliconN-channel MOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RRS100N03-TB

N-Channel20V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

RSH100N03

4VDriveNchMOSFET

4VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(SOP8). Application Powerswitching,DC/DCconverter.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RSS100N03

Switching(30V,?10A)

Switching(30V,±10A) Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallandSurfaceMountPackage(SOP8). Applications Powerswitching,DC/DCconverter.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RSS100N03FRA

Nch30V10APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RSS100N03HZG

Nch30V10APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RSS100N03TB

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

RXH100N03

4VDriveNchMOSFET

4VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(SOP8). Application Switching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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NEC
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更多NP100N03G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-3 18:12:00

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