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NP100P06PLG中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NP100P06PLG
廠商型號(hào)

NP100P06PLG

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

189.76 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-30 15:38:00

NP100P06PLG規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NP100P06PLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

? Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?50 A)

RDS(on)2 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?50 A)

? High current rating: ID(DC) = m100 A

? Built-in gate protection diode

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NP100P06PLG

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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