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NP110N04PUK-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP110N04PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ●Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) ●LowCiss:Ciss=10500pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicatio

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP110N04PUK-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP110N04PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.4m?MAX.(VGS=10V,ID=55A) ?LowCiss:Ciss=10500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplication

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更多NP110N04PUK-E2-AY供應(yīng)商 更新時間2024-11-8 13:30:00