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NP160N04TUJ-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP160N04TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=2.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=80A) ?LowCiss:Ciss=6900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Designedforautomotiveappli

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP160N04TUJ-E2-AY

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NP160N04TUJ-E2-AY

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    160A（Tc）

  • 描述：

    TRANSISTOR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Renesas Electronics America
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RENESAS/瑞薩
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RENESAS/瑞薩
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瑞薩全系列在售,終端可出樣品
 詢(xún)價(jià)
更多NP160N04TUJ-E2-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-5 15:00:00

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