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NP160N055TUK-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP160N055TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ●Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.10mΩMAX.(VGS=10V,ID=80A) ●LowCiss:Ciss=7500pFTYP.(VDS=25V) ●Designedforautomotiveapplicatio

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP160N055TUK-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.10m?MAX.(VGS=10V,ID=80A) ?LowCiss:Ciss=7500pFTYP.(VDS=25V) ?DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified

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供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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RENESAS/瑞薩
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更多NP160N055TUK-E2-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-2 9:36:00

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