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NP20P06YLG-E1-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NP20P06YLG-E1-AY
廠商型號(hào)

NP20P06YLG-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

126.55 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 19:25:00

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NP20P06YLG-E1-AY規(guī)格書詳情

Description

The NP20P06YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

? Low on-state resistance

RDS(on) = 47 m? MAX. (VGS = –10 V, ID = –10 A)

RDS(on) = 64 m? MAX. (VGS = –5 V, ID = –10 A)

RDS(on) = 70 m? MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –10 A)

? Logic level drive type

? Gate to Source ESD protection diode built in

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

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