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NP28N10SDE-E1-AY分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

NP28N10SDE-E1-AY
廠商型號(hào)

NP28N10SDE-E1-AY

參數(shù)屬性

NP28N10SDE-E1-AY 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANSISTOR

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

255.69 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-27 9:32:00

NP28N10SDE-E1-AY規(guī)格書詳情

Description

The NP28N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 52 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 14 A)

RDS(on)2 = 59 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 14 A)

? Low Ciss: Ciss = 2200 pF TYP. (VDS = 25 V)

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NP28N10SDE-E1-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    28A(Tc)

  • 描述:

    TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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