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NP33N06YDG中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP33N06YDG
廠商型號

NP33N06YDG

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

230.35 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-14 10:12:00

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NP33N06YDG規(guī)格書詳情

Description

The NP33N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

? Low on-state resistance

? RDS(on) = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16.5 A)

? Low Ciss: Ciss = 2600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)

? Logic level drive type

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

? Small size package 8-pin HSON

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NCP
24+
TSOP
35210
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20+
SOT23
26000
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21+
SOT23
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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24+
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一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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RENESAS/瑞薩
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