NP36P06SLG中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	NP36P06SLG
功能描述	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
文件大小	177.35 Kbytes
頁面數(shù)量	7 頁
生產(chǎn)廠商	Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱	NEC【瑞薩】
中文名稱	日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
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更新時間	2025-1-19 11:21:00

DESCRIPTION

The NP36P06SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

? Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 30 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?18 A)

RDS(on)2 = 40 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?18 A)

? Low input capacitance

Ciss = 3200 pF TYP.

? Built-in gate protection diode

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